POPULARITAS.COM – Para peneliti dari Fudan University, China, berhasil kembangkan flash memori tercepat didunia. Temuan revlusioner itu, memungkinkan penyimpanan data satu bit per 400 pikodetik.
Temuan itu, catatkan rekor sebagai perangkat semikonduktor paling cepat didunia. Perangkat yang diberi nama PoX tersebut, merupakan memori nonvolatil yang mengungguli teknologi memori volatil tercepat.
Memori volatil seperti SRAM dan DRAM, yang kehilangan data saat kehilangan daya, tidak cocok untuk sistem berdaya rendah. Sementara itu, memori nonvolatil seperti flash memory, meskipun hemat energi, tidak dapat memenuhi permintaan akses data berkecepatan tinggi dari kecerdasan buatan (Artificial Intelligence/AI).
Para peneliti di Universitas Fudan mengembangkan perangkat flash memory berstruktur Dirac graphene-channel dua dimensi menggunakan mekanisme inovatif, yang mendobrak batas kecepatan penyimpanan dan akses informasi nonvolatil.
Hasil penelitian ini dipublikasikan pada Rabu (16/4) di jurnal Nature. “Menggunakan algoritma AI untuk mengoptimalkan kondisi pengujian proses, kami memajukan inovasi ini secara signifikan dan membuka jalan untuk penerapan di masa depan,” kata Zhou Peng dari Universitas Fudan, yang juga peneliti utama dalam studi ini. (Xinhuanews)
Leave a comment